四氟甲烷（CF4）具有高稳定性，属于完整不燃气体，常温下不与酸、碱及氧化剂反响,900℃以下不与Cu,Ni,W,Mo等过渡金属反响，1000℃以下不与碳、氢及CH4反响。室温下可与液氨-金属钠试剂反响，高温下CF4可与碱金属、碱土金属及SiO2反响,生成相应的氟化物。CF4在800℃下开端合成，在电弧作用下可与CO和CO2反响生成COF2，有人还试图在碳弧温度中使CF4聚合来合成其他碳氟化合物。应用四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子体蚀刻气体，普遍用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜资料的蚀刻，在电子器件外表清洗、太阳能电池的消费、激光技术、低温制冷、气体绝缘、走漏检测剂、控制宇宙火箭姿势、印刷电路消费中的去污剂、光滑剂及制动液等方面也有大量应用。由于化学稳定性极强，CF4还可用于金属冶炼和塑料行业等。当今超大范围集成电路所用电子气体的特性和开展趋向是超纯、超净、多种类、多规格，各国为推进本国微电子工业开展，越来越注重开展特种电子气体的消费技术。就目前而言，
四氟化碳（CF4）以其相对低廉的价钱长期占领着蚀刻气体市场，因而具Chemicalbook有宽广的开展潜力。下游产品例举：硅薄膜资料、二氧化硅薄膜资料、氮化硅薄膜资料、磷硅玻璃薄膜资料、钨薄膜资料等薄膜资料、电子器件外表清洗剂、太阳能电池、去污剂、光滑剂、制动液、平安自爆防爆式干粉灭火器。合成办法目前工业上制备四氟甲烷CF4的办法主要有烷烃直接氟化法、氟氯甲烷氟化法、氢氟甲烷氟化法和氟碳直接合成法等。烷烃直接氟化法是工业上早采用这种办法来制备氟代烷烃,但该反响猛烈放热,难以控制,需求采用特别的措施。杜邦(法国)公司的专利引见了一种在有催化剂存在下,使甲烷与Cl2和HF于气态下反响来制备四氟甲烷CF4的办法。反响式如下：CH4+4Cl2+4HF---CF4+8HCl。反响在1个填充催化剂的管式反响器或流化床反响器中停止,采用预先经HF活化的金属氧化物或卤化物作催化剂,特别是Al2O3，Cr2O3和CoCl2。提Cl2和HF的用量及反响温度有利于CF4生成,控制反响温度在450～550℃,反响物接触时间在0.5～5s。该办法的优点是工艺成熟、操作简单、原料易得。但该办法也存在反响不易控制、产物复杂、收率低等缺陷,终将被其他工艺所淘汰。
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